זינוק בביקוש לשבבי AI: רווחיות ה-DRAM של סמסונג צפויה לחצות 80%

סמסונג אלקטרוניקס (Samsung Electronics) צועדת לעבר שיא היסטורי בתוצאותיה הכספיות, כאשר הרווח התפעולי הרבעוני שלה צפוי לחצות לראשונה את רף ה- 100 טריליון וון (כ- 74 מיליארד דולר). הרקע לזינוק הוא נסיקה בשיעור הרווחיות התפעולית של חטיבת שבבי הזיכרון מסוג DRAM, אשר צפויה לעבור את רף ה- 80%, לצד דרישה גוברת לרכיבי זיכרון המיועדים לתשתיות מרכזי נתונים של בינה מלאכותית (AI).

המהפכה הטכנולוגית העולמית אינה מזינה רק את מפתחי המודלים והתוכנה, אלא מציפה ברווחי שיא את יצרניות החומרה והשבבים הפועלות מאחורי הקלעים. העלייה החדה ברווחיות מתרחשת אף שקצב עליית המחירים הכללי בשוק הזיכרון החל להתמתן. השינוי נובע מהסטה מאסיבית של משאבי ייצור לטובת שבבים מתקדמים המיועדים לבינה מלאכותית, תהליך שיוצר מחסור מתמשך בשבבי זיכרון קלאסיים ומחזיק את המחירים ואת הרווחים ברמות שיא.

תחזיות הרווח לחטיבת השבבים

ממוצע הערכות של שלושה מוסדות פיננסיים מובילים בדרום קוריאה - DB Securities, Mirae Asset Securities ו-BNK Securities - מעמיד את הרווח התפעולי של סמסונג ברבעון השלישי על 107.7 טריליון וון. מדובר בעלייה של 20.3% בהשוואה לרווח תפעולי של 89.4 טריליון וון שנרשם ברבעון השני.

האנליסטים בשלושת המוסדות מעריכים כי שיעור הרווח התפעולי של חטיבת פתרונות המכשירים (Device Solutions) בסמסונג, המרכזת את פעילות השבבים והמוליכים למחצה של החברה, יגיע לרמה של 72% עד 75%. מתוך פעילות זו, שיעור הרווחיות התפעולית של תחום ה-DRAM - המקיף הן שבבי זיכרון ברוחב פס גבוה (HBM) והן מוצרים קלאסיים - צפוי לחצות את רף ה- 80%.

נתוני חברת מחקר השוק TrendForce מצביעים על כך שמחירי ה-DRAM צפויים לעלות ב- 13% עד 18% ברבעון השלישי בהשוואה לרבעון הקודם. אף שמדובר בהאטה ניכרת לעומת זינוק של כ- 60% שנרשם ברבעון השני, הרווחיות של החברה נותרה גבוהה במיוחד בשל המבנה החדש של קווי הייצור.

השינוי המבני: הסבת קווי הייצור ל-HBM

הסיבה המרכזית לשיעורי הרווחיות החריגים היא אופן הקצאת קיבולת הייצור במפעלים. סמסונג ומתחרותיה בתעשייה מקצות חלק הולך וגדל מסיליקון ה-DRAM המתקדם שלהן לייצור שבבי HBM ולמוצרי זיכרון בעלי קיבולת גבוהה המיועדים לשרתים. כתוצאה מכך, היצע ה-DRAM הקלאסי הולך וקטן, בעוד הביקוש לזיכרונות מסוג DDR5 לשרתים ממשיך לנסוק במקביל להשקעות העתק במרכזי נתונים ל-AI.

לפי נתוני מחלקת המחקר ב-KB Securities, חלקו של HBM מסך קיבולת ה-DRAM של סמסונג צפוי לרשום את השינויים הבאים:

עלייה בנתח ה-HBM: צפי לשיעור של 40% מסך קיבולת ה-DRAM בשנה הבאה, לעומת 33% השנה.

ירידה בנתח ה-DRAM הקלאסי: חלקו מסך קווי הייצור צפוי לרדת ל- 59% בשנה הבאה, לעומת 65% השנה.

התארכות זמני האספקה: זמן ההמתנה (Lead time) למשלוחי DDR5 בקיבולת גבוהה לשרתים התארך החודש לעד 52 שבועות, לעומת כ- 6 שבועות בלבד בתנאי שוק רגילים.

דינמיקה חדשה בשוק הזיכרון העולמי

השינוי הנוכחי בתעשייה שונה באופן מהותי ממחזורי גאות קודמים שחווה שוק שבבי הזיכרון. "In past memory upcycles, rising prices were followed by capacity expansion, which eventually brought prices back down. This time, however, capacity is rapidly shifting toward HBM, so additional investment does not immediately lead to more conventional DRAM supply."

מנהל המחקר ב-KB Securities, קים דונג-וון, מדגיש כי ההתפתחות הנוכחית היא חלק מתהליך מבני ארוך טווח בענף שבבי הזיכרון: "A structural shift is underway as the HBM-led reallocation of production capacity prolongs shortages of conventional DRAM and pushes prices higher."

מגמה זו ממחישה כיצד המרוץ הבינלאומי להקמת תשתיות בינה מלאכותית משנה את מפת הרווחיות של ענף הטכנולוגיה העולמי. בעוד תשומת הלב הציבורית מופנית לעיתים קרובות לחברות התוכנה ולמפתחי המודלים, יצרניות הזיכרון והחומרה הופכות למרוויחות השקטות של עידן ה-AI.

קראו גם: עד 100 טרה-בייט בקלטת אחת: דור חדש של פתרונות אחסון ארכיוני יוצא לשוק · מלחמת השבבים מחריפה: צו מניעה בגרמניה נגד מוצרי זיכרון של מיקרון